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Gas immersion laser doping : ウィキペディア英語版
Gas immersion laser doping

Gas Immersion Laser Doping is a method of doping a semiconductor material like Silicon.
==How it works==
Example: Doping Silicon with Boron
A thin Silicon wafer is immersed in Boron gas while a pulsed laser repeatedly melts and cools the wafer. The Boron atoms in the gas diffuse into the molten parts of the Silicon and stay there when the Silicon solidifies, thus producing a Silicon wafer with Boron impurities. The resultant material is a P-type semiconductor.

抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)
ウィキペディアで「Gas immersion laser doping」の詳細全文を読む



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